avx鉭電容當(dāng)成立起必定寬度的空間電荷區(qū)后，電場惹起的電子漂移活動(dòng)戰(zhàn)濃度差別惹起的電子渙散活動(dòng)抵達(dá)相對的均衡，便構(gòu)成了avx鉭電容勢壘。用avx鉭電容去消弭邊沿區(qū)域的電場，進(jìn)步管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其攙和濃度較H-層要下100％倍。

正在基片下邊構(gòu)成N+陽極層，其感染是加小陽極的打仗電阻。經(jīng)由進(jìn)程調(diào)解結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片戰(zhàn)陽極金屬之間便構(gòu)成avx鉭電容勢壘。那些優(yōu)秀特性是快規(guī)復(fù)南北極管所無法比擬的。建議電容器施加的電壓為格外電壓的90％，若格外電壓大年夜于10V時(shí)，取格外電壓的80％為好;若直流電壓加上交變電壓，則其峰值電壓不能逾越格外電壓;若總的直流電壓加上背峰值交變電壓，出有容許閃現(xiàn)背壓。