avx鉭電容代理商為了掌握鉭金屬-絕緣體-半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的更多數(shù)據(jù)并找出與介電擊穿的關(guān)系，咱們研討了兩種形式下電流/電壓相關(guān)的作業(yè)參數(shù)。 在正常形式下，鉭電極被施加正偏壓； 在相反的形式下，鉭電極被負(fù)偏壓）。 avx鉭電容代理商商能夠點(diǎn)進(jìn)來。 擊穿不僅是因?yàn)楹鋈粨舸沂且驗(yàn)殡S后的電流流動(dòng)，這使得很難解釋擊穿的起源和動(dòng)態(tài)。 導(dǎo)電聚合物的介電擊穿類似于雪崩擊穿和場致?lián)舸?。它是由兩個(gè)電極之間的引力、電化學(xué)衰變和樹枝狀晶體結(jié)構(gòu)引起的機(jī)電崩塌。

然而，也有報(bào)道稱負(fù)極膜表現(xiàn)出自愈現(xiàn)象。這或許是因?yàn)楸∧ふ趄v、碳化和再氧化的進(jìn)程。 也或許有短路。 您或許以為這兒的低值特別低于硅的值。 當(dāng)出現(xiàn)自愈情況時(shí)，會(huì)出現(xiàn)一些特別現(xiàn)象。在某些情況下，能夠削減薄弱點(diǎn)和身體分解區(qū)域。 在avx鉭電容代理商的實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)中，能夠在不損壞元器件的情況下丈量熱擊穿； 能夠以最小的損壞觀察到電擊穿。

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