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作者:點(diǎn)擊數(shù):發(fā)布時(shí)間:2021-11-03
avx鉭電容可用于新型無(wú)磁電容,磁共振成像設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所運(yùn)用的電容及其他電子元器件需求屏蔽或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電極資料或端接資猜中或許含有鐵質(zhì)或磁性資料。為前進(jìn)丹青分辨率,avx鉭電容的系統(tǒng)的磁場(chǎng)水平不斷前進(jìn),avx鉭電容通過(guò)室內(nèi)轉(zhuǎn)化來(lái)得到的運(yùn)用是有磁場(chǎng)畸變的。感應(yīng)充電器需求具有高擊穿電壓功能,同時(shí),某些運(yùn)用中還需求防護(hù)高壓電弧放電。此款感應(yīng)充電器的輸入與輸出之間具有杰出的阻隔,這是醫(yī)用設(shè)備的重要要求。縮小充電電池尺度有助于減小選用無(wú)線感應(yīng)充電電路的植入式醫(yī)療設(shè)備的體積。
avx鉭電容有兩大缺點(diǎn):其一,反向截止電壓的承受能力較低,現(xiàn)在的產(chǎn)品大約為100V;其二,反向漏電流較大,使得該器件比其他類型的整流器件更往常受熱擊穿。當(dāng)然,這些缺點(diǎn)也能夠經(jīng)由增加瞬時(shí)過(guò)電壓保護(hù)電路及恰當(dāng)控制結(jié)溫來(lái)克服。
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