鉭電容為前進圖像分辨率，MRI體系的磁場水平不斷前進，而MRI室內(nèi)運用的電容會形成磁場畸變。因而，需求削減或大部分電容中的磁性資料。推出的系列MLCC在電和端接結(jié)構(gòu)中選用非鐵資料，來知足磁化的要求。無磁結(jié)構(gòu)可以選用X7R和NPO電介質(zhì)。avx鉭電容的質(zhì)量很好，我曾經(jīng)買了一個KEMET鉭電容，現(xiàn)在還沒有壞，所以質(zhì)量沒話說。電路設(shè)計和產(chǎn)品選型不存在標(biāo)題;產(chǎn)品機能參數(shù)可以知足電路信號特色.

avx鉭電容可以根據(jù)分布由器件選用的共同設(shè)計來操控，VBD可達3kV或以上。本產(chǎn)品選用了NPO和X7R電介質(zhì)。磁共振成像設(shè)備內(nèi)部或周邊電路中所運用的電容及其他電子元器件需求或封裝在MRI室外。電容的電介質(zhì)、電資料或端接資料中或許含有鐵質(zhì)或磁性資料。

avx貼片鉭電容的高壓電弧防護電容解決方案，為解決這一標(biāo)題，Vishay推出了一系列的HVArc（高壓電?。┓雷oMLCC（多層貼片陶瓷電容），可防止電弧放電，同時節(jié)省空間。這些新器件在較高的電壓定額內(nèi)具有容量，而且前進了電壓擊穿的耐受能力。

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